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2026-06-12
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更新于
2026-06-12
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Nand Flash
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0
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0分钟
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文章作者:
咕噜元
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Cell 物理结构：FGMOSNAND Flash 最基本的存储单元称为一个 Cell，每个 Cell 由一颗 FGMOS（浮栅型金属-氧化物-半导体场效应晶体管，Floating-gate MOSFET）构成。 相比普通 MOSFET，FGMOS 多了一层关键的 浮栅（Floating Gate）——它被上下两层氧化层包裹，形成一个物理上隔离的电子陷阱，可以长期束缚存储的电子。 Vth：Cell 的导通临界电压MOSFET 本质是一个电压控制的可变电阻：在栅极（Gate）与源极（Source）之间施加电压 Vgs，就能改变漏极（Drain）与源极之间的导通程度，进而影响读出的电压值。 Vgs 与导通状态的关系十分明确： Vgs < Vth → Cell 截止，无电流通过，读出电压为 0 Vgs ≥ Vth → Cell 导通，电流随 Vgs 增大而上升，读出电压也随之升高 Vth（阈值电压） 就是这个”刚好导通”的临界值。Vth 越高，说明需要更大的 Vgs 才能导通 Cell——导通难度越大。 浮栅如何调控 Vth？浮栅的根本功能是存储电子。通过改变存储的电子数...
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