Nand Training Feature

Training features shown in this section shall be supported by NAND devices operating over 800MT/s in heavily loaded systems.

ZQ校准

ZQ校准是什么

ZQ校准是一种电子调整过程，用于精确设定芯片输入/输出接口的电阻值，以确保在高速数据传输中信号清晰稳定，减少错误。ZQ校准就是这个“调音师”，它使用一个外部精密参考电阻作为“标准音叉”，来校准芯片内部电路这个“乐器”的音准（电阻值），无论环境如何变化，都能保持最佳性能。

ZQ校准的作用：它是一个动态、持续的过程。内存控制器会在初始化、退出低功耗状态、或者定期发起ZQ校准命令，让内存芯片根据当前的实时温度和电压重新进行校准，确保从轻载到重载的全工况下都能保持最佳状态。

Nand 端ZQ校准

对于超过400MT/s速度的NV-DDR3接口，ZQ校准是可选的，但推荐使用。对于NV-LPDDR4接口，无论数据速率如何，都需要进行ZQ校准。

ZQ校准分为长校准和短校准。

两者区别如下：

特性	长校准	短校准
主要目的	全面、精确的校准，建立初始基准或应对重大环境变化	快速、局部的微调，跟踪和补偿微小的漂移
触发时机	1. 上电初始化（Power-On） 2. 退出自刷新模式（Exit Self-Refresh） 3. 温度发生剧烈变化后（由传感器检测） 4. 可能由软件手动触发	在正常激活状态（Active状态）下，由内存控制器定期发起
校准时长	较长（通常是时钟周期的数百倍，可以通过看RB拉低时间）	非常短（通常比长校准短一个数量级）
功耗影响	相对较高，因为需要启动完整的校准电路并持续较长时间	非常低，因为只是对当前设置进行小幅修正

长校准时序：

短校准时序：

注意事项：

在tZQCL或tZQCS期间，控制器不得对NAND通道（即数据总线）执行任何操作，包括读取状态。
如果需要使用ZQ校准时，需要注意主控端应当同步进行ZQ校准。
目前大多数切高速的流程中加了ZQ校准流程（ZQ长校准），但是实际高速运行过程中，是否需要加入定时的ZQ短校准，可以根据实际情况提出方案（一般不考虑）。
如果需要使用ZQ短校准，应该需要注意时间间隔。
ZQ校准时，需要将DQ配置为High阻抗。

ZQ校准和驱动强度的关系

驱动强度好比音响的音量旋钮，决定了输出信号的“推力”或“力度”。而ZQ校准则像一个专业的音响系统校准程序，它能根据现场环境（温度、电压）的变化，自动调整每个扬声器的音量和音色，确保无论处于音乐厅还是露天场地，播放效果都清晰精准、不失真。

注意：目前DataSheet在配置驱动强度和ZQ校准上没有明确先后顺序要求，但是在高速流程图里，是先设置驱动强度再去配置ZQ校准。

DCC Training

NAND Flash 中的 DCC Training（Duty Cycle Correction Training，占空比校正训练）是一项用于提升高速NAND接口数据传输可靠性的关键技术。它主要用于校准信号RE_t/c的占空比，以提供最佳的数据采样窗口。

FW可以发出以下两种时序，查询SR[0]的结果来确认当前RE_t/c是否能够正常使用。如果SR[0] == 1，需要调整占空比后，重新发起。

该training可以理解为给没有LA和示波器的用户使用，原则上，有这些可以抓信号的仪器的话，这个可以提前配置至符合Nand需求。

DCC Training 的两种方式

DCC Training Using Set Feature

FA 20h 的P1用于配置DCC Training相关参数。具体时序如下，Data长度为Page Size：

DCC Training by using Command

Read DQ Training

Read/Write Training 的核心目的是通过校准DQ（数据）与 DQS（数据选通）的时序偏移、NAND / 主机的内部参考电压（VrefQ），确保高速读写时数据采样准确，仅适用于 NV-DDR3 和 NV-LPDDR4 接口。

如上图可见，FW读取数据时，DQS的边沿并不是恰好指向DQ中间，两者可能会有一个gap（专业术语叫相位偏移）。如果gap比较大，且FW没有采取任何措施的话，那么可能会造成采样出错。